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英特尔公司投资41亿美元促进EUV光刻技术的研发

时间:2019-07-06 06:02 来源:未知 作者:admin 阅读:
  据英国《自然》杂志网站7月25日(北京时间)报道,芯片制造商英特尔公司表现,将向总部设在荷兰的半导体装备制造商阿斯麦投资41亿美元,其中10亿美元专门用于极紫外线(EUV)光刻手艺的研发,新手艺有望让晶体管的巨细缩减为原来的1/4。

  一块芯片能容纳的晶体管数目每隔几年就可以翻番,但这一趋势现在似乎已到穷途末路。解决方案之一是借用EUV光刻手艺将更小的晶体管蚀刻在微芯片上,即用超短波长的光在现有微芯片上制造比现在精致4倍的图案。芯片上的集成电路图案是通过让光透过一个遮蔽物照射在一块涂满光阻剂的硅晶圆上制成,现在只能接纳深紫外(波长一样平常约为193纳米)光刻手艺制造出22纳米宽的最小图案。

  在芯片上蚀刻更小图案的唯一方式是使用波长更短的光波。通过将波长缩短到13.5纳米,芯片上的图案可缩小到5纳米或更小。要想做到这一点,EUV光刻手艺面临着化学、物理和工程学方面的挑战,需要对光刻系统背后的光学仪器、光阻剂、遮蔽物以及光源举行重新思索。有鉴于此,英特尔公司宣布投资41亿美元,用于加速450毫米晶圆手艺、EUV光刻手艺的研发,推动硅半导体工艺的前进。

  险些所有的质料(包罗空气)都市吸收波是非到13.5纳米的光,因此,这个历程需要在真空中举行。而且由于这种光无法由传统的反射镜和透镜所指导,需要另外制造专用的反射镜,但纵然这些专用反射镜也会吸收许多EUV光,因此,这种光必须很是明亮。研究职员诠释道,光越昏暗,凝固光阻剂需要的时间也越长,而且由于光刻手艺是微芯片制造历程中最慢的步骤,以是,EUV光源的强度对降低成本至关主要。第一代EUV光源只能提供10瓦左右的光,1小时只够在10个硅晶圆上做出图案。而商业系统必须到达200瓦,且一小时至少要做出100个图案。

  另一个挑战在于,现在电路一样平常被蚀刻在300纳米宽的硅晶圆上,但英特尔公司希望EUV手艺能在450纳米宽的硅晶圆上举行,这样一次做出的电路数目就可以翻番,这就需要阿斯麦公司研制出新的制造装备,英特尔公司希望能在2016年做到这一点。

英特尔公司投资41亿美元促进EUV光刻技术的研发

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